(1) Ka hopena hoʻomalu o vGS ma ka ID a me ke kahawai
① Ka hihia o vGS=0
Hiki ke ʻike ʻia aia ʻelua mau hui PN hope-to-back ma waena o ke kahawai d a me nā kumu s o ke ʻano hoʻonui.MOSFET.
Ke hoʻohui ʻia ka volta kumu-puka vGS=0, ʻoiai inā e hoʻohui ʻia ka volta puna wai vDS, a me ka nānā ʻole i ka polarity o vDS, aia mau kahi hui PN i ka mokuʻāina hoʻohuli. ʻAʻohe ala alakaʻi ma waena o ke kahawai a me ke kumu, no laila ke kahawai ID≈0 i kēia manawa.
② Ka hihia o vGS>0
Inā vGS>0, hoʻokumu ʻia kahi kahua uila ma ka papa insulating SiO2 ma waena o ka puka a me ka substrate. ʻO ke kuhikuhi o ke kahua uila he perpendicular i ke kahua uila i kuhikuhi ʻia mai ka ʻīpuka a i ka substrate ma ka ʻili semiconductor. Hoʻopau kēia kahua uila i nā puka a huki i nā electrons. Hoʻokuʻu ʻana i nā puka: Ua hoʻokuʻu ʻia nā puka o ka substrate P-type kokoke i ka puka, e waiho ana i nā ion acceptor hiki ʻole ke hoʻoneʻe ʻia (negative ion) e hana i kahi papa hoʻopau. E huki i nā electrons: Ua huki ʻia nā electrons (nā mea lawe liʻiliʻi) i ka substrate P-type i ka ʻili o ka substrate.
(2) Ka hoʻokumu ʻana o ke kahawai conductive:
Ke liʻiliʻi ka waiwai o ka vGS a ʻaʻole ikaika ka hiki ke huki i nā electrons, ʻaʻohe ala conductive ma waena o ke kahawai a me ke kumu. Ke piʻi aʻe nei ka vGS, ʻoi aku ka nui o nā electrons i ka papa honua o ka substrate P. Ke hiki i ka vGS i kekahi waiwai, hana keia mau electrons i ka N-type thin layer ma ka ili o ka P substrate kokoke i ka puka a ua pili i na aina N+ elua, e hana ana i ka N-type conductive channel ma waena o ke kahawai a me ke kumu. He kūʻē kona ʻano conductivity me ka substrate P, no laila ua kapa ʻia ʻo ia he papa hoʻohuli. ʻO ka nui o ka vGS, ʻoi aku ka ikaika o ke kahua uila e hana ana ma ka ʻili semiconductor, ʻoi aku ka nui o nā electrons i huki ʻia i ka ʻili o ka substrate P, ʻoi aku ka mānoanoa o ke kahawai conductive, a ʻoi aku ka liʻiliʻi o ke kūʻē o ke kahawai. Ua kapa ʻia ka volta puka-puna i ka wā e hoʻomaka ai ke kahawai ʻo ka volta hoʻohuli, i hōʻike ʻia e VT.
ʻO kaN-channel MOSFETʻAʻole hiki ke hoʻokumu ʻia kahi ala conductive inā vGS <VT, a ʻo ka paipu i kahi kūlana ʻoki ʻia. Aia wale nō i ka vGS≥VT hiki ke hana ʻia kahi alahele. ʻO kēia ʻanoMOSFETpono ia e hana i ke kaila conductive ke kapa ʻia ʻo vGS≥VT he ʻano hoʻonuiMOSFET. Ma hope o ka hoʻokumu ʻia ʻana o ke kahawai, hoʻokumu ʻia kahi ʻāwīwī i ka wā e hoʻohana ʻia ai ka vDS volta mua ma waena o ke kahawai a me ke kumu. ʻO ka mana o ka vDS ma ka ID, i ka wā vGS>VT a he waiwai kekahi, ua like ka mana o ka vold-source voltage vDS ma ke kahawai conductive a me ka ID o kēia manawa me ka transistor hopena hopena. ʻO ka hāʻule ʻana o ka uila i hana ʻia e ka ID o kēia manawa ma ke kahawai e hoʻohālikelike ʻia nā volta ma waena o kēlā me kēia kiko o ke kahawai a me ka ʻīpuka. ʻO ka volta ma ka hopena kokoke i ke kumu ka mea nui loa, kahi o ka mānoanoa o ke kahawai. ʻO ka volta ma ka hopena o ke kahawai ka mea liʻiliʻi loa, a ʻo kona waiwai ʻo VGD=vGS-vDS, no laila ʻoi aku ka lahilahi o ke kahawai ma aneʻi. Akā inā liʻiliʻi ka vDS (vDS
Ka manawa hoʻouna: Nov-12-2023
