He pūʻolo kēiaMOSFETpyroelectric infrared sensor. ʻO ka ʻāpana ʻāpana ʻehā ka puka aniani. ʻO ka pine G ka pahu lepo, ʻo ka D pin ka wai MOSFET kūloko, a ʻo ka pine S ke kumu MOSFET kūloko. Ma ke kaapuni, pili ʻia ʻo G i ka honua, pili ʻo D i ka lako mana maikaʻi, hoʻokomo ʻia nā hōʻailona infrared mai ka puka makani, a hoʻopuka ʻia nā hōʻailona uila mai S.
ʻO ka puka hoʻokolokolo G
Hoʻokani ka mea hoʻokele MOS i ka hana o ke ʻano nalu a me ka hoʻonui ʻana i ka hoʻokele: Inā ʻo ka nalu hōʻailona G o kaMOSFETʻAʻole lawa ka pali, e hoʻonui nui ʻia ka mana i ka wā o ka hoʻololi ʻana. ʻO kāna hopena ʻaoʻao e hōʻemi i ka pono hoʻololi kaapuni. E loaʻa i ka MOSFET ke kuni nui a hiki ke pohō i ka wela. Aia kekahi capacitance ma waena o MOSFETGS. , inā ʻaʻole lawa ka mana hoʻokele hōʻailona G, e hoʻopilikia nui ia i ka manawa lele o ka nalu.
E hoʻopili pōkole i ka pou GS, e koho i ka pae R × 1 o ka multimeter, e hoʻohui i ke alakaʻi hoʻāʻo ʻeleʻele i ka pou S, a me ke alakaʻi hōʻike ʻulaʻula i ka pou D. Pono ke kū'ē i kekahi mau Ω a ʻoi aku ma mua o ʻumi Ω. Inā ʻike ʻia he palena ʻole ke kūʻē o kekahi pine a me kāna mau pine ʻelua, a ʻaʻole mau ia ma hope o ka hoʻololi ʻana i nā alakaʻi hoʻāʻo, ua hōʻoia ʻia ʻo kēia pine ke kia G, no ka mea, ua hoʻokaʻawale ʻia ia mai nā pine ʻē aʻe ʻelua.
E hoʻoholo i ke kumu S a hoʻokahe D
E hoʻonoho i ka multimeter i R × 1k a e ana i ke kū'ē ma waena o nā pine ʻekolu. E hoʻohana i ke ʻano alakaʻi hoʻokolohua hoʻololi e ana ʻelua i ke kūʻē. ʻO ka mea me ka waiwai kūʻē haʻahaʻa (maʻamau he mau tausani Ω a ʻoi aku ma mua o ʻumi tausani Ω) ʻo ia ke kūʻē i mua. I kēia manawa, ʻo ke alakaʻi hoʻāʻo ʻeleʻele ka pou S a ua pili ke alakaʻi ʻulaʻula i ka pou D. Ma muli o nā kūlana ho'āʻo like ʻole, ʻoi aku ka kiʻekiʻe o ka waiwai RDS (on) i ana ʻia ma mua o ka waiwai maʻamau i hāʻawi ʻia ma ka manual.
E pili anaMOSFET
Loaʻa i ka transistor ke ala N-type no laila ua kapa ʻia ʻo N-channelMOSFET, a i ʻoleNMOS. Aia pū kekahi P-channel MOS (PMOS) FET, ʻo ia ka PMOSFET i haku ʻia me kahi BACKGATE N-type māmā doped a me kahi kumu P-type a me ka wai.
ʻAʻohe o ka N-type a i ʻole P-type MOSFET, ʻo kāna kumu hana he ʻano like. Mālama ʻo MOSFET i kēia manawa ma ke kahawai o ka pahu hoʻopuka e ka uila i hoʻopili ʻia i ka puka o ka pahu hoʻokomo. ʻO MOSFET kahi mea i hoʻomalu ʻia i ka uila. Mālama ia i nā ʻano o ka mea hana ma o ka volta i hoʻopili ʻia i ka puka. ʻAʻole ia e hoʻoulu i ka hopena mālama mālama i hoʻokumu ʻia e ke kumu kumu ke hoʻohana ʻia kahi transistor no ka hoʻololi ʻana. No laila, i ka hoʻololi ʻana i nā noi,MOSFETPono e hoʻololi wikiwiki ma mua o nā transistors.
Loaʻa ka inoa i ka FET ma muli o kona hoʻokomo ʻana (i kapa ʻia ʻo ka ʻīpuka) e pili ana i ke kahe e kahe ana ma o ka transistor ma o ke kuhi ʻana i kahi kahua uila ma luna o kahi papa insulating. ʻO ka ʻoiaʻiʻo, ʻaʻohe kahe e kahe ana ma kēia insulator, no laila, liʻiliʻi loa ke ʻano GATE o ka paipu FET.
Hoʻohana ka FET maʻamau i kahi ʻāpana lahilahi o ka silicon dioxide ma ke ʻano he insulator ma lalo o ka GATE.
Kapa ʻia kēia ʻano transistor he transistor metal oxide semiconductor (MOS), a i ʻole, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). No ka mea ʻoi aku ka liʻiliʻi o nā MOSFET a ʻoi aku ka maikaʻi o ka mana, ua hoʻololi lākou i nā transistors bipolar i nā noi he nui.
Ka manawa hoʻouna: Nov-10-2023
