ʻO ke kuleana o nā MOSFET i nā kaapuni

MOSFETpāʻani i kahi kūlanama ka hoololi kaapuniʻo ia ka hoʻomalu ʻana i ke kaapuni a me ka hoʻololi ʻana i ka hōʻailona.MOSFET hiki ke hoʻokaʻawale nui ʻia i ʻelua mau ʻāpana: N-channel a me P-channel.

I ke kaila NMOSFETkaapuni, kiʻekiʻe ka pine BEEP e hiki ai i ka pane buzzer, a haʻahaʻa e hoʻopau i ka buzzer.P-channelMOSFETno ka hoʻomalu ʻana i ka lako mana o ka module GPS a i ʻole, haʻahaʻa ka pine GPS_PWR i ka wā e hoʻohana ʻia, ʻo ka module GPS lako mana maʻamau, a kiʻekiʻe e hoʻopau i ka mana o ka module GPS.

P-kananiMOSFETi loko o ka N-type silikon substrate ma ka P + māhele 'elua: ka wai a me ke kumu. ʻAʻole pili kēia mau pou ʻelua i kekahi i kekahi, inā lawa ka uila maikaʻi i hoʻohui ʻia i ke kumu i ka wā i hoʻopaʻa ʻia, e puka mai ka ʻili silika N-type ma lalo o ka ʻīpuka ma ke ʻano he ʻano P-type inverse layer, i loko o kahi kahawai e hoʻopili ai i ka lua a me ke kumu. . ʻO ka hoʻololiʻana i ka volta ma ka puka e hoʻololi i ka nui o nā puka i loko o ke kahawai, pēlā e hoʻololi ai i ke kū'ē o ke kahawai. Kapa ʻia kēia he P-channel enhancement field effect transistor.

ʻO nā hiʻohiʻona NMOS, Vgs ʻoiai ʻoi aku ka lōʻihi ma mua o kekahi waiwai, pili i ke kumu kumu i hoʻopaʻa ʻia i ka pahu pahu haʻahaʻa haʻahaʻa, ke hāʻawi ʻia ka volta puka o 4V a i ʻole 10V ma ka laina.

ʻO nā hiʻohiʻona o PMOS, kū'ē i ka NMOS, e ho'ā i ka wā e emi ai ka Vgs ma mua o kahi waiwai, a ua kūpono ia no ka hoʻohanaʻana i ke kūlana kiʻekiʻe kiʻekiʻe ke hoʻohuiʻia ke kumu i VCC. Eia naʻe, ma muli o ka liʻiliʻi o nā ʻano hoʻololi, kiʻekiʻe ma luna o ke kūʻē a me ke kumukūʻai kiʻekiʻe, ʻoiai hiki ke hoʻohana maʻalahi ʻia ka PMOS i ke ʻano o ke kaʻa kiʻekiʻe, no laila i ka drive kiʻekiʻe, hoʻohana mau i ka NMOS.

Nui,MOSFETLoaʻa i ka impedance hoʻokomo kiʻekiʻe, hoʻomaʻamaʻa i ka hoʻopili pololei ʻana i nā kaʻapuni, a maʻalahi hoʻi e hana i loko o nā kaapuni hoʻohui nui.