Kahe o ka ho'āʻo MOSFET

ʻO MOSFET Detection Flow MOSFET, ʻo ia kekahi o nā mea hana maʻamau i ke kahua semiconductor, hoʻohana nui ʻia i nā hoʻolālā huahana like ʻole a me nā kaapuni papa. ʻOi loa ma ke kahua o nā semiconductors mana kiʻekiʻe, MOSFET o nā ʻano hana like ʻole e pāʻani i kahi hana hiki ʻole ke hoʻololi. ʻOiaʻiʻo, ke kiʻekiʻe utilization rate oMOSFET ua alakaʻi i kekahi mau pilikia liʻiliʻi. ʻO kekahi o nā pilikia leakage MOSFET, loaʻa i nā wahi like ʻole nā hopena like ʻole, no laila ua hoʻonohonoho mākou i kekahi mau ala hoʻoponopono kūpono no kāu kuhikuhi.

ʻO ka ʻike ʻana o MOSFET o ka ʻike e pili ana i nā ʻano:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, and is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen is er geen problem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, and is de MOSFET is geen problem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, hui pū ʻia me 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal marking is over het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve Elektriciteit op basis van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass, zodat de digitale multimeter pool pool bias de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.